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SiLM2004E

200V低压驱动芯片

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产（chǎn）品（pǐn）概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用（yòng）图

产（chǎn）品概述

SiLM2004E 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提供可靠（kào）的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输（shū）出驱动器（qì）具有高脉冲电（diàn）流（liú）缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导通。浮动通道（dào）可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高（gāo）达200V。

产品特性

为自举操作设计的浮动通道

完全（quán）运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V逻辑输入兼容

驱动电流：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉（chā）导（dǎo）通逻辑

两通（tōng）道（dào）间匹配传输延迟

通过无铅认证

提供（gòng） SOP-8 封装选项（xiàng）